ขั้นที่ 1 — จากปลั๊กถึงไฟตรง: ไฟบ้าน 220V ผ่าน ฟิวส์ → CT (หม้อแปลงวัดกระแส) ที่คล้องสาย L ไว้เพื่อรายงานกระแสให้ MCU → เข้า ไดโอดบริดจ์ ที่พลิกครึ่งลบขึ้นมาเป็นบวก ได้ไฟตรงแบบเป็นลูกคลื่น
ฟิวส์ขาดแบบ "ดำปี๋/แตก" แทบไม่เคยเป็นความผิดของฟิวส์เอง — มันคือผลจากของที่ช็อตอยู่ข้างหลัง ลองเลือกอาการ "IGBT ช็อต C-E" ดู

Step 1 — from the plug to DC: 220 V mains passes the fuse → the current transformer (CT) clamped around the live wire, which reports the current to the MCU → into the bridge rectifier, which flips the negative half up to give pulsating DC.
A charred or cracked fuse is almost never the fuse's own fault — it is the symptom of something shorted behind it. Try the "IGBT shorted C-E" fault.

ขั้นที่ 2 — ทำให้เรียบเป็น 310V DC: โช้ก กันสัญญาณรบกวนความถี่สูงไม่ให้ย้อนออกไปที่สายไฟบ้าน ส่วน คาปาซิเตอร์ 5µF 400V เก็บประจุจนแรงดันเรียบที่ราว 310V (= 220 × √2)
⚠ จุดนี้คือจุดที่ต้องคายประจุก่อนซ่อมทุกครั้ง — ถอดปลั๊กแล้วมันยังอมไฟ 310V ค้างอยู่ได้นาน

Step 2 — smoothing it into 310 V DC: the choke keeps high-frequency noise from getting back out onto the mains, and the 5 µF 400 V capacitor charges until the rail is flat at about 310 V (= 220 × √2).
⚠ This is the point you must discharge before servicing — it holds 310 V long after the plug is out.

ขั้นที่ 3 — ไฟเลี้ยงสมองและไดรเวอร์: ภาคจ่ายไฟต่ำ (IC อย่าง VIPer12A / AP8012) แบ่งไฟจากบัส 310V ลงมาเป็น 5V เลี้ยง MCU และ 18V เลี้ยงวงจรขับเกตกับพัดลม
ถ้าภาคนี้เสีย เตาจะ "เงียบสนิททั้งที่ฟิวส์ยังดี" และอันตรายตรงที่บัส 310V ยังมีไฟเต็มอยู่ — ลองเลือกอาการ "ภาคจ่ายไฟต่ำเสีย"

Step 3 — powering the brain and the driver: the low-voltage supply (an IC such as VIPer12A / AP8012) steps the 310 V bus down to 5 V for the MCU and 18 V for the gate driver and the fan.
If this stage dies the stove is "silent with a good fuse" — and dangerous, because the 310 V bus is still fully charged. Try the "LV supply dead" fault.

ขั้นที่ 4 — คำสั่งเดินทางไปถึงขาเกต: MCU สั่งเป็นสัญญาณ 5V → ไดรเวอร์ (ทรานซิสเตอร์คู่ S8050/S8550) ขยายเป็นพัลส์ 18V → ผ่าน R-gate 10–47Ω → เข้าขา G ของ IGBT โดยมี ซีเนอร์ 18V คร่อม G-E คอยกันแรงดันเกิน
ทำไมต้อง 18V ไม่ใช่ 5V? เพราะ 5V เปิด IGBT ได้แค่ "แง้มประตู" แล้วมันจะไหม้ในไม่กี่วินาที (อ่านเพิ่มในบท IGBT) · R-gate ไหม้ขาด หรือซีเนอร์ช็อต = คำสั่งไปไม่ถึง ลองเลือกอาการนั้นดู

Step 4 — the command reaches the gate: the MCU issues a 5 V signal → the driver (an S8050/S8550 pair) amplifies it to an 18 V pulse → through the 10–47 Ω gate resistor → into the IGBT's gate, with an 18 V zener across G-E guarding against overvoltage.
Why 18 V rather than 5 V? Because 5 V only cracks the IGBT open and it burns out in seconds (see the IGBT lesson). An open gate resistor or a shorted zener means the command never arrives — try that fault.

ขั้นที่ 5 — จังหวะ ON (สะสมพลังงาน): IGBT นำกระแส ขา C ถูกกดลงมาเกือบ 0V ไฟ 310V จึงคร่อม ขดลวดทำงาน เต็มๆ กระแสในขดลวดค่อยๆ ไต่ขึ้น = เก็บพลังงานไว้ในสนามแม่เหล็ก
ช่วงนี้กินเวลาแค่ระดับไมโครวินาที เพราะทั้งวงจรสับที่ 20–30 kHz

Step 5 — the ON stroke (storing energy): the IGBT conducts, its collector is pulled down to nearly 0 V, so the full 310 V sits across the work coil and the coil current ramps up — energy is being stored in the magnetic field.
This lasts only microseconds: the whole circuit switches at 20–30 kHz.

ขั้นที่ 6 — จังหวะ OFF และหัวใจของเครื่อง (ZVS): พอ IGBT ปิด กระแสในขดลวดหยุดทันทีไม่ได้ มันจึงวิ่งเข้า C-resonance 0.27µF ทำให้แรงดันที่ขา C พุ่งขึ้นเป็นลูกครึ่งไซน์สูงราว 800V แล้วไหลกลับลงมาที่ศูนย์เอง
บอร์ดจะสั่งเปิด IGBT อีกครั้งตรงจังหวะที่แรงดันเป็นศูนย์พอดี = Zero-Voltage Switching แทบไม่มีกำลังสูญเสียตอนสวิตช์ นี่คือเหตุผลที่ IGBT ตัวเดียวคุมกำลัง 2,000W ที่ 25 kHz ได้โดยไม่ละลาย
และนี่คือเหตุผลที่ C-resonance ค่าแห้งแล้ว IGBT ระเบิดทันที — ไม่มีตัวรองรับพลังงาน ยอดคลื่นจะพุ่งทะลุพิกัด 1200V (ลองเลือกอาการนั้นดูเส้นสีแดง)

Step 6 — the OFF stroke, and the heart of the machine (ZVS): when the IGBT turns off the coil current cannot stop instantly, so it pours into the 0.27 µF resonant capacitor. The collector voltage rises as a half-sine to about 800 V and then falls back to zero by itself.
The board turns the IGBT on again exactly as that voltage reaches zero — zero-voltage switching, with almost no switching loss. That is how one IGBT handles 2,000 W at 25 kHz without melting.
And it is why a dried-out resonant capacitor blows the IGBT instantly — with nothing to absorb the energy the peak clears the 1200 V rating (pick that fault and watch the red trace).

ขั้นที่ 7 — หม้อคือส่วนหนึ่งของวงจร: สนามแม่เหล็กความถี่สูงจากขดลวดพุ่งขึ้นไปเหนี่ยวนำ กระแสไหลวน (eddy current) ในก้นหม้อเหล็ก ความต้านทานของเนื้อเหล็กเปลี่ยนกระแสนั้นเป็นความร้อน — หม้อจึงเป็น "โหลด" ตัวจริงของวงจรนี้
ถ้าไม่มีหม้อ หรือใช้หม้ออะลูมิเนียม จะไม่มีอะไรดูดพลังงาน คลื่นเรโซแนนซ์จะแกว่งยาวผิดปกติ (Q สูง) MCU อ่านค่าผ่าน CT แล้วสั่งตัดพร้อมโชว์ E0/E1
เวลาลูกค้าบอกว่า "หาหม้อไม่เจอ" จึงต้องแยกให้ออกว่าเป็นที่หม้อจริงๆ หรือวงจรตรวจจับเพี้ยน

Step 7 — the pot is part of the circuit: the coil's high-frequency field induces eddy currents in the steel pot base, and the steel's resistance turns them into heat — the pot is this circuit's real load.
With no pot, or an aluminium one, nothing absorbs the energy: the resonant ring lasts far too long (high Q), the MCU sees it through the CT and shuts down with E0/E1.
So when a customer says "it can't find the pot", your job is to tell a genuinely wrong pot from a faulty detection circuit.

ขั้นที่ 8 — ไล่วัดตามลำดับ: วัด TP1 → TP5 ไปทีละจุด จุดแรกที่ค่าหายไปคือภาคที่เสีย ไม่ต้องเดาสุ่ม
ลองเปลี่ยนอาการเสียในช่องด้านบนแล้วดูว่าแต่ละเคสค่าเปลี่ยนที่จุดไหน — ตารางค่ามาตรฐานเต็มๆ อยู่หัวข้อถัดไป
⚠ TP1 กับ TP5 คือไฟ 310V ขึ้นไป ห้ามวัดโดยไม่คายประจุ/ไม่มีสมาธิ

Step 8 — probe in order: measure TP1 → TP5 one after another. The first point where the reading disappears is the stage that failed — no guessing.
Switch faults above and watch which point changes in each case; the full reference table is in the next section.
⚠ TP1 and TP5 sit at 310 V and above — never probe them without discharging first and giving it your full attention.